（d）中在540nm处，湖南湖南胶体的光致发光的衰减行为。
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型电这四种新型TMD的半导体铁电性为研究铁电性与其丰富的电学和光学性质之间的相互作用开辟了可能。力系第一作者：XiruiWang,KenjiYasuda通讯作者：PabloJarillo-Herrero通讯单位：麻省理工学院论文doi：https://doi.org/10.1038/s41565-021-01059-z。
在正向与反向扫描之间，统标电荷中和点处的电阻峰有ΔVB/dB=0.018Vnm-1的偏移，其中VB为底栅电压，dB为底介质总厚度。图1双层TMD的晶体结构和压电力显微镜图像 ©2022SpringerNatureR-堆叠双层TMD器件的滞回现象用石墨烯作为电传感器也可以检测到R层叠双层TMD的铁电性，准化这不仅可以精确地估计极化，准化而且对于铁电场效应晶体管的概念验证也至关重要。