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信息化创新驱动 电网企业发展新常态

2025-07-04 02:15:56

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(c)三聚氰胺钝化Cu活性中心,化创进而抑制成核密度过程的示意图。 【小结】总之,动电本文综述和讨论了二维单晶受控生长过程中的四个关键因素。

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此外,网企还可将制备好的二维单晶作为衬底,网企通过层间耦合的方法在其表面再次生长二维单晶,从而构建层数、取向可控的多层二维单晶或垂直异质结构。因此,展新研究大尺寸二维单晶的生长,具有十分重要的意义。常态(f)由单核生长的单晶石墨烯光学照片。

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因此,信息新驱现阶段,总结已有的研究成果并且对二维单晶生长作出更加系统、深入地理解,可为今后更多二维单晶的可控生长打下基础。现阶段,化创二维单晶生长还具有巨大的研究空间和潜力。

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 图四、动电表面调控(a)Cu(111)上生长取向一致的石墨烯晶畴光学图。

(2)多种优异的性质,网企例如超高的载流子迁移率,界面之间的超快电荷转移等。到目前为止,展新只有石墨烯与六方氮化硼(hBN)被制备出接近米量级的单晶。

杂相抑制的目标是提高产物的相纯度,常态从而获得更高的单晶质量。(j-l)在局部氟辅助催化作用下,信息新驱一种可能的碳源分解反应路径示意图以及对应的能量曲线。

现阶段,化创在所有二维材料中,只有石墨烯和hBN通过衬底的表面调控生长获得了接近米量级的单晶。动电(n)利用第一性原理DFT计算不同取向hBN生长的能量曲线。

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